•  
  •  
 

Article Title

Paralel diyot doğrusallaştırıcılı 2.4 GHz güç yükselteci tasarımı

Abstract

Bu çalışmada öncelikle 2.4 GHz frekansında ATF501p8 pseudomorfik yüksek elektron hareketli transistör (pYEHT) kullanılarak yüksek Çevrim Güç Kazancı (G), Güç Ekli Verim (GEV%), optimum giriş yansıma katsayısı (S11) ve çıkış yansıma katsayısı (S22) gibi tasarım parametrelerine sahip tek katlı A-sınıfı bir Güç Yükselteci (GY) tasarlanmıştır. GY’nin doğrusallık performansını arttırmak için, doğrusal olmayan Diyot Tabanlı (DT) bir doğrusallaştırma tekniği uygulanmış ve doğrusallaştırıcı devrenin eleman değerleri optimize edilmiştir. Tasarımı yapılmış olan GY’nin doğrusallık performansını artırmak için Paralel Diyot Doğrusallaştırıcı (PDD) devre elemanları optimize edilerek GY’ye uygulanmıştır. PDD devresinde HMPP-386X serisi HMPP-3860 Radyo Frekans (RF) PIN diyot kullanılmıştır. Çalışmada devre tasarım ve simülasyonları Keysight ADS yazılımı ile yapılmıştır. PDD devre optimizasyonu ise ADS simülatörü içinde yer alan Benzetimli Tavlama (BT) optimizasyon algoritması ile yapılmıştır. Doğrusallık performansı artırılmış PDD’li GY 15 dBm giriş gücü (Pgiriş) değerinde 10.901 dB G ile 25.901 dBm’lik çıkış gücü (Pçıkış) ve %27.906 GEV performansına sahiptir. Ayrıca tasarlanan PDD’li GY -8.348 dB’lik S11 ve 13.715 dB’lik S22 performansına sahiptir. Çalışmada PDD devresinin yükselteç doğrusallık performansını artırdığı Genlik-Genlik (G-G), Genlik-Faz (G-F) ve GÇ karşılaştırmalı grafikleri ile detaylı olarak gösterilmiştir. PDD’siz GY 21.36 dBm Üçüncü Derece Giriş Kesim Noktası (GKN3), 32.74dBm Üçüncü Derece Çıkış Kesim Noktası (ÇKN3), -18.742 dBc Üçüncü Derece Modülasyonlar Arası Bozunum (MAB3) değerlerine sahipken PDD’li GY ise 25.38 dBm GKN3, 35.54 dBm ÇKN3, -26.702 dBc MAB3 değerlerine sahiptir. Elde edilen karşılaştırmalı simülasyon sonuçlarına göre PDD devresinin pYEHT A-sınıfı tek katlı 2.4 GHz GY’nin doğrusallık performansını artırdığı görülmüştür

https://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/452627

Share

COinS