•  
  •  
 

Article Title

Doğrusal katılaştırılmış Al-%13ağ.Mg2Si alaşımının mikroyapı karakterizasyonu

Abstract

Bu çalışmada, sabit bir sıcaklık gradyanında tek yönlü (doğrusal) katılaştırılmış Al-%13ağ.Mg2Si yalancı ötektik (pseudoeutectic) alaşımı için mikroyapı üzerine büyütme oranlarının (hızlarının) etkisi çalışılmıştır. Al-Mg-Si sisteminde Al - %13ağ.Mg2Si yalancı ötektik alaşımının bileşimi üçlü sıvıdan ötektik faz büyütmek için, ağırlıkça % 8.25 magnezyum ve ağırlıkça % 4.75 silisyum olarak seçilmiştir. Doğrusal katılaştırma işlemi Bridgman tipi doğrusal katılaştırma fırınında sabit sıcaklık gradyanında (6.68 K/mm) farklı hızlarda çalışabilen senkron motorlar kullanarak beş farklı büyütme hızında (V=8.33–175.0 µm/s) yapılmıştır. Doğrusal katılaştırılmış Al-%13ağ.Mg2Si alaşımının mikroyapısı, faz diyagramı ve EDX analiz sonuçlarına göre, birincil α-Al matris yapısının içerisine dağılmış şekilde sıvı faz ve ötektik mercan benzeri yapı şeklinde Mg2Si fazı gözlenmiştir. Büyütme hızı 8.33 μm/s den 175 μm/s ye arttırıldığında, λ²Mg2SiV için ortalama ötektik mesafe 7.12 μm den 1.70 μm ye azalmıştır. En büyük ötektik mesafe sabit sıcaklık gradyanında (G=6.68 K/mm) ve minimum büyütme hızında (V=8.33 µm/s) gözlenmiştir. Başka bir ifadeyle sabit sıcaklık granyanında (G=6.68 K/mm), en küçük ötektik mesafe büyütme hızının maksimum (V=175.0 μm/s) olduğu durumda gözlenmiştir. Al - %13ağ.Mg2Si yalancı ötektik alaşımı için lameller arası mesafenin (ötektik mesafe) (λ), büyütme oranına (V) bağlılığı λ²Mg2SiV= 16.95−0.45 olarak elde edilmiştir. Aynı zamandahacim büyütme oranı, ölçülmüş olan lameller arası mesafe (λ²Mg2SiV) ve büyütme oranı (V) kullanılarak λ²Mg2SiV = 408.96 µm3 /s şekilde elde edilmiştir.

https://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/445678

Share

COinS